Fast Switch tyristor

Beskrivning:

Fast switch tyristor, med samma struktur och symbol för fasstyrning tyristor, medan de bättre statiska egenskaperna, särskilt dynamiska egenskaper krävs av högfrekvent tillämpning av likriktning, hackning, växelriktare och frekvensomvandlingskrets.De dynamiska parametrarna för den snabba tyristorn är snabb påslagningshastighet och påslagningsexpansionshastighet, mindre omvänd återhämtningsladdning och kort avstängningstid, hög kritisk ökningshastighet av på-tillståndsström (di/dt) och kritisk hastighet på ökning av off-state spänning (dv/dt).Märkströmmen för den snabba tyristorn inom märkfrekvensen minskar inte eller minskar något när frekvensen ökar.

Tillverkningsstandarden för snabbväxling av tyristor och bearbetningsteknik från RUNAU Electronics introducerades från USA sedan 1980-talet, som en pionjär inom tillverkning av tyristor i Kina, hade RUNAU:s tekniska team skaffat sig den senaste kunskapen och omfattande tillverkningserfarenhet i mer än 30 år.På grundval av traditionell tillverkningsprocess, hade talangteknikerna från RUNAU Electronics utvecklat den senaste tekniken för tillverkning av tyristor med fördelar med europeiska produkter, kvaliteten och prestandan förbättras avsevärt, fler stora vinster uppnås i kraftelektroniktillämpningar, och mer värde skapades för partners.

Introduktion:

1. Chip

Tyristorchipset tillverkat av RUNAU Electronics är sintrad legeringsteknik som används.Kisel- och molybdenskivan sintrades för legering med rent aluminium (99,999%) under högvakuum och högtemperaturmiljö.Administreringen av sintringsegenskaper är nyckelfaktorn för att påverka kvaliteten på tyristor.Kunskapen hos RUNAU Electronics förutom att hantera legeringsövergångsdjupet, ytplanhet, legeringskavitet samt full diffusionsförmåga, ringcirkelmönster, speciell grindstruktur.Den speciella behandlingen användes också för att reducera anordningens bärarlivslängd, så att den interna bärarrekombinationshastigheten accelereras kraftigt, den omvända återhämtningsladdningen för anordningen reduceras och växlingshastigheten förbättras följaktligen.Sådana mätningar användes för att optimera egenskaperna för snabb omkoppling, på-tillståndsegenskaper och överspänningsströmegenskaper.Prestanda och ledningsdrift av tyristor är pålitlig och effektiv.

2. Inkapsling

Genom strikt kontroll av planhet och parallellitet hos molybdenskivan och extern förpackning kommer chipet och molybdenskivan att integreras tätt och fullständigt med extern förpackning.Detta kommer att optimera resistansen hos överspänningsström och hög kortslutningsström.Och mätningen av elektronförångningsteknik användes för att skapa en tjock aluminiumfilm på kiselskivans yta, och ruteniumskikt pläterat på molybdenytan kommer att förbättra motståndskraften mot termisk utmattning avsevärt, livslängden för snabbomkopplartyristor kommer att öka avsevärt.

Teknisk specifikation

1. Snabbbrytartyristor med chip av legeringstyp tillverkad av RUNAU Electronics, serie I_TAVfrån 200A till 4000A och V_DRM/V_RRMfrån 1200V till 4500V.
2. I_GT, V_GToch jag_Här testvärdena vid 25℃, om inget annat anges är alla andra parametrar testvärdena under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformad halvvågsströms basbredd.Vid 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Vid 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1,066,T_j=T_j;jag²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: