Faskontrolltyristor (friflytande typ)

Beskrivning:

Med utvecklingen av ökande effekt och kapacitet hos omvandlarutrustning, särskilt HVDC-överföring, begärs uteffektkapaciteten för enhetstyristorn att öka i enlighet därmed, vilket kommer att minska installationsmängden för tyristor i serie- och parallellkopplingskretsar.Enhetens storlek och vikt kommer att minska, lägre investeringar, jämn ström och jämn spänning kommer att realiseras enkelt, den pålitliga driften och det kommersiella värdet kommer att öka avsevärt.

Den fritt flytande kiselteknologin som används för att tillverka högströmstyristorer med hög effekt kommer att tillfredsställa tillämpningskraven av hög standard.Och i juli 2019 hade RUNAU Electronics utvecklat 5200V tyristor med 5" chip framgångsrikt och levererat till kund som tillämpades i Kina HVDC-projekt.

Introduktion:

1. Chip

Det högstandardiserade tyristorchipset tillverkat av RUNAU Electronics är friflytande teknologi tillämpad.Det är väl erkänt som den senaste och mogen teknik för tillverkning av högspänningstyristorn med hög effekt.Det används allmänt av de mest världsledande tillverkarna.

Diffusionsprocessen optimerades i densitet och bredd för att öka spänningsmotståndet, minska spänningsfallet i tillståndet och förbättra trigger- och dynamiska egenskaper.Nytt fotolitografimönster designades för att förbättra di/dt- och dv/dt-funktionerna.Kontaktstrukturen på chipet byggdes om för att skydda kanten på kiselskivan och katodytan, den omvända spänningsprestandan kommer att förbättras avsevärt.

2. Inkapsling

Fördelen med friflytande kiselteknologi är att deformationen mellan kisel och molybdenskiva begränsas kraftigt och att förbrukningen av molybdenskivor minskar.Även om plattheten hos kiselskivan och kopparblocket i förpackningen är högt krävs, är kraven på parallellitet och grovhet högre än legeringschipsteknik.Genom ständig förbättring och innovation hade RUNAU Electronic övervunnit alla tekniska svårigheter och hinder.Den fria flytande tekniken, högeffekts högspänningstyristor med pålitlig prestanda och kommersiell effektiv lösning utvecklades och tillhandahålls till kunder.De flesta av dem är installerade i den högeffektsstyrbara likriktaren, högspänningsmjukstartaren, HVDC-kraftöverföringen, lokomotivet, dynamisk reaktiv effektkompensation och pulskraftapplikationssystem.

Teknisk specifikation

1. Fasstyrd tyristor med chip av legeringstyp tillverkad av RUNAU Electronics, serie I_TAVfrån 350A till 5580A och V_DRM/V_RRMfrån 3400V till 8500V.
2. I_GT, V_GToch jag_Här testvärdena vid 25℃, om inget annat anges är alla andra parametrar testvärdena under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformad halvvågsströms basbredd.Vid 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Vid 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1,066,T_j=T_j;jag²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: