Thyristor Chip
Thyristor Chip
Tyristorchippet tillverkat av RUNAU Electronics introducerades ursprungligen av GEs processstandard och teknologi som överensstämmer med USA:s applikationsstandard och kvalificeras av kunder över hela världen.Den kännetecknas av stark termisk utmattningsmotståndsegenskaper, lång livslängd, hög spänning, stor ström, stark miljöanpassning, etc. Under 2010 utvecklade RUNAU Electronics ett nytt mönster av tyristorchip som kombinerade den traditionella fördelen med GE och europeisk teknologi, prestanda och effektiviteten optimerades avsevärt.
Parameter:
| Diameter mm | Tjocklek mm | Spänning V | Port Dia. mm | Katod Inre Dia. mm | Cathode Out Dia. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29,72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2,1-2,4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38,1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32,8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33,9 | 125 |
| 40 | 2,1-2,4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37,9 | 125 |
| 50,8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43,3 | 125 |
| 50,8 | 2,6-2,9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41,5 | 125 |
| 50,8 | 2,6-2,8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41,5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47,3 | 125 |
| 55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45,7 | 125 |
| 60 | 2,6-3,0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49,8 | 125 |
| 63,5 | 2,7-3,1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53,4 | 125 |
| 70 | 3,0-3,4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59,9 | 125 |
| 76 | 3,5-4,1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65,1 | 125 |
| 89 | 4-4,4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77,7 | 125 |
| 99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87,7 | 125 |
Teknisk specifikation:
RUNAU Electronics tillhandahåller krafthalvledarchips av fasstyrd tyristor och snabbomkopplartyristor.
1. Lågt spänningsfall i tillståndet
2. Tjockleken på aluminiumskiktet är mer än 10 mikron
3. Dubbla lager skydd mesa
Tips:
1. För att bibehålla den bättre prestandan ska chipet lagras i kväve- eller vakuumtillstånd för att förhindra spänningsförändringar orsakade av oxidation och fukt i molybdenbitar
2. Håll alltid chipytan ren, använd handskar och rör inte chippet med bara händer
3. Kör försiktigt under användningsprocessen.Skada inte chipets hartskantyta och aluminiumskiktet i polområdet på porten och katoden
4. Vid test eller inkapsling, observera att parallelliteten, planheten och klämkraften som fixturen måste överensstämma med de specificerade standarderna.Dålig parallellitet kommer att resultera i ojämnt tryck och spånskador med våld.Om överdriven klämkraft utövas kommer chipet lätt att skadas.Om den pålagda klämkraften är för liten kommer den dåliga kontakten och värmeavledningen att påverka applikationen.
5. Tryckblocket i kontakt med chipets katodyta måste glödgas
Rekommendera Clamp Force
| Chips storlek | Rekommendation för klämkraft |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 eller Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 eller Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63,5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |