Press-Pack IGBT

Kort beskrivning:


Produktdetalj

Produkttaggar

Presspaket IGBT (IEGT)

TYP VDRM
V
VRRM
V
IT(AV)@80℃
A
ITGQM@CS
A/µF
ITSM@10ms
kA
VTM
V
VTO
V
rT
TVJM
Rthjc
℃/W
CSG07E1400 1400 100 250 700 2 4 ≤2,2 ≤1,20 ≤0,50 125 0,075
CSG07E1700 1700 16 240 700 1.5 4 ≤2,5 ≤1,20 ≤0,50 125 0,075
CSG15F2500 2500 17 570 1500 3 10 ≤2,8 ≤1,50 ≤0,90 125 0,027
CSG20H2500 2500 17 830 2000 6 16 ≤2,8 ≤1,66 ≤0,57 125 0,017
CSG25H2500 2500 16 867 2500 6 18 ≤3,1 ≤1,66 ≤0,57 125 0,017
CSG30J2500 2500 17 1350 3000 5 30 ≤2,5 ≤1,50 ≤0,33 125 0,012
CSG10F2500 2500 15 830 1000 2 12 ≤2,5 ≤1,66 ≤0,57 125 0,017
CSG06D4500 4500 17 210 600 1 3.1 ≤4,0 ≤1,90 ≤0,50 125 0,05
CSG10F4500 4500 16 320 1000 1 7 ≤3,5 1.9 ≤0,35 125 0,03
CSG20H4500 4500 16 745 2000 2 16 ≤3,2 ≤1,8 ≤0,85 125 0,017
CSG30J4500 4500 16 870 3000 6 16 ≤4,0 ≤2,2 ≤0,60 125 0,012
CSG40L4500 4500 16 1180 4000 3 20 ≤4,0 ≤2,1 ≤0,58 125 0,011

 Notera:D- med djoddel, A-utan dioddel

Konventionellt applicerades lödkontakt IGBT-modulerna i växeln i ett flexibelt DC-transmissionssystem.Modulpaketet är enkelsidig värmeavledning.Enhetens effektkapacitet är begränsad och inte lämplig att seriekopplas, dålig livslängd i saltluft, dålig vibrationsdämpning eller termisk trötthet.

Den nya typen av press-kontakt högeffekt press-pack IGBT-enhet löser inte bara helt problemen med vakans i lödprocessen, termisk utmattning av lödmaterial och låg effektivitet av enkelsidig värmeavledning utan eliminerar också det termiska motståndet mellan olika komponenter, minimera storlek och vikt.Och avsevärt förbättra arbetseffektiviteten och tillförlitligheten hos IGBT-enheter.Det är ganska lämpligt för att uppfylla kraven på hög effekt, hög spänning och hög tillförlitlighet för det flexibla DC-överföringssystemet.

Det är absolut nödvändigt att byta ut lödkontakttyp med presspaket IGBT.

Sedan 2010 har Runau Electronics utvecklats för att utveckla en ny typ av press-pack IGBT-enhet och efterträda produktionen 2013. Prestandan certifierades av nationell kvalifikation och spetsprestationen fullbordades.

Nu kan vi tillverka och tillhandahålla seriepresspaket IGBT med IC-intervall i 600A till 3000A och VCES-intervall i 1700V till 6500V.En fantastisk utsikt till press-pack IGBT tillverkad i Kina för att tillämpas i Kina flexibelt DC transmissionssystem är mycket förväntat och det kommer att bli en annan världsklass milstolpe för den kinesiska kraftelektronikindustrin efter höghastighetståg elektriskt.

 

Kort introduktion av typiskt läge:

1. Läge: Press-pack IGBT CSG07E1700

Elektriska egenskaper efter förpackning och pressning
● Omvändparallellanslutensnabb återställningsdiodavslutade

● Parameter:

Märkvärde (25℃)

a.Kollektorsändarspänning: VGES=1700(V)

b.Grindsändarspänning: VCES=±20(V)

c.Samlarström: IC=800(A)ICP=1600(A)

d.Collector Power Dissipation: PC=4440(W)

e.Arbetspunktstemperatur: Tj=–20~125℃

f.Förvaringstemperatur: Tstg=–40~125℃

Notera: enheten kommer att skadas om det överstiger det nominella värdet

ElektriskCegenskaper, TC=125℃,Rth (termiskt motstånd avkorsning tillfallingår ej

a.Grindläckageström: IGES=±5(μA)

b.Kollektorsändare blockerande ström ICES=250(mA)

c.Kollektorsändarens mättnadsspänning: VCE(sat)=6(V)

d.Grindsändarens tröskelspänning: VGE(th)=10(V)

e.Starttid: Ton=2,5μs

f.Avstängningstid: Toff=3μs

 

2. Läge: Press-pack IGBT CSG10F2500

Elektriska egenskaper efter förpackning och pressning
● Omvändparallellanslutensnabb återställningsdiodavslutade

● Parameter:

Märkvärde (25℃)

a.Kollektorsändarspänning: VGES=2500(V)

b.Grindsändarspänning: VCES=±20(V)

c.Samlarström: IC=600(A)ICP=2000(A)

d.Collector Power Dissipation: PC=4800(W)

e.Arbetsövergångstemperatur: Tj=–40~125℃

f.Förvaringstemperatur: Tstg=–40~125℃

Notera: enheten kommer att skadas om det överstiger det nominella värdet

ElektriskCegenskaper, TC=125℃,Rth (termiskt motstånd avkorsning tillfallingår ej

a.Grindläckageström: IGES=±15(μA)

b.Kollektorsändare blockerande ström ICES=25(mA)

c.Kollektorsändarens mättnadsspänning: VCE(sat)=3,2 (V)

d.Grindsändarens tröskelspänning: VGE(th)=6,3(V)

e.Starttid: Ton=3,2μs

f.Avstängningstid: Toff=9,8μs

g.Diod Framspänning: VF=3,2 V

h.Diod omvänd återhämtningstid: Trr=1,0 μs

 

3. Läge: Press-pack IGBT CSG10F4500

Elektriska egenskaper efter förpackning och pressning
● Omvändparallellanslutensnabb återställningsdiodavslutade

● Parameter:

Märkvärde (25℃)

a.Kollektorsändarspänning: VGES=4500(V)

b.Grindsändarspänning: VCES=±20(V)

c.Samlarström: IC=600(A)ICP=2000(A)

d.Collector Power Dissipation: PC=7700(W)

e.Arbetsövergångstemperatur: Tj=–40~125℃

f.Förvaringstemperatur: Tstg=–40~125℃

Notera: enheten kommer att skadas om det överstiger det nominella värdet

ElektriskCegenskaper, TC=125℃,Rth (termiskt motstånd avkorsning tillfallingår ej

a.Grindläckageström: IGES=±15(μA)

b.Kollektorsändare blockerande ström ICES=50(mA)

c.Kollektorsändarens mättnadsspänning: VCE(sat)=3,9 (V)

d.Grindsändarens tröskelspänning: VGE(th)=5,2 (V)

e.Påslagningstid: Ton=5,5μs

f.Avstängningstid: Toff=5,5μs

g.Diod Framspänning: VF=3,8 V

h.Diod omvänd återhämtningstid: Trr=2,0 μs

Notera:Presspaket IGBT är fördelaktigt i långvarig hög mekanisk tillförlitlighet, hög motståndskraft mot skador och egenskaperna hos presskopplingsstrukturen, är bekväm att användas i serieanordningar, och jämfört med den traditionella GTO-tyristorn är IGBT en spänningsdrivningsmetod .Därför är den lätt att använda, säker och brett användningsområde.


  • Tidigare:
  • Nästa:

  • Skriv ditt meddelande här och skicka det till oss