Faskontrolltyristor (legeringstyp)

Beskrivning:

Thyristor, även känd som Silicon Control Rectifier (SCR), är en högeffekts halvledarenhet som består av tre PN-strukturer.När det gäller prestanda har tyristorn inte bara enkelriktad ledningsförmåga, utan har också mer värdefull styrbarhet än kisellikriktarelementet, som endast två tillstånd av ledning och off-state, för att styra stor effekt med liten effekt, effektförstärkning upp till hundratals eller tusentals gånger.Reaktionen är mycket snabb, slås på och av på mikrosekunder.Beröringsfri drift, inga gnistor, inget buller, samtidigt som det är hög effektivitet och låg kostnad.Därför, särskilt i högströmförsörjningssystem, har tyristor använts i stor utsträckning i likriktarkretsar, statisk bypass-omkopplare, kontaktfri utgångsomkopplare och andra kretsar.

Tyristortillverkningsstandarden och bearbetningstekniken från RUNAU Electronics introducerades från USA sedan 1980-talet, som en pionjär inom tillverkning av tyristor i Kina, hade RUNAU:s tekniska team skaffat sig den senaste kunskapen och riklig tillverkningserfarenhet i mer än 30 år.På grundval av traditionell tillverkningsprocess, hade talangteknikerna från RUNAU Electronics utvecklat den senaste tekniken för tillverkning av tyristor med fördelar med europeiska produkter, kvaliteten och prestandan förbättras avsevärt, fler stora vinster uppnås i tillämpningen av kraftelektronik fält, och mer värde skapades för partners.

Introduktion:

1. Chip

Tyristorchipset tillverkat av RUNAU Electronics är sintrad legeringsteknik som används.Kisel- och molybdenskivan sintrades för legering med rent aluminium (99,999%) under högvakuum och högtemperaturmiljö.Administreringen av sintringsegenskaper är nyckelfaktorn för att påverka kvaliteten på tyristor.Kunskapen hos RUNAU Electronics, förutom att hantera legeringsövergångsdjupet, ytplanhet, legeringskavitet samt full diffusionsförmåga, centrumport, ringcirkelmönster, användes för att möjliggöra pålitlig och högeffektiv ledningsdrift av tyristor, för att säkerställa prestanda av hög kvalitet.

2. Inkapsling

Genom strikt kontroll av planhet och parallellitet hos molybdenskivan och extern förpackning kommer chipet och molybdenskivan att integreras tätt och fullständigt med extern förpackning.Detta kommer att optimera resistansen hos överspänningsström och hög kortslutningsström.Och mätningen av elektronförångningsteknik användes för att skapa en tjock aluminiumfilm på kiselskivans yta, och ruteniumskikt pläterat på molybdenytan kommer att förbättra motståndskraften mot termisk utmattning avsevärt, tyristorns livslängd kommer att öka avsevärt.

Teknisk specifikation

1. Fasstyrd tyristor med chip av legeringstyp tillverkad av RUNAU Electronics, serie I_TAVfrån 300A till 6000A och V_DRM/V_RRMfrån 800V till 4400V.
2. I_GT, V_GToch jag_Här testvärdena vid 25℃, om inget annat anges är alla andra parametrar testvärdena under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformad halvvågsströms basbredd.Vid 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Vid 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1,066,T_j=T_j;jag²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: