1.IEC standarder användes för att karakterisera tyristor, diod prestanda, har flera tio parametrar, men användare använder ofta en tio eller så, denna artikel kortfattat tyristor / diod av de viktigaste parametrarna.
2.Average Forward Current IF (AV) (likriktare) / Mean on-state current IT (AV) (Tyristor): definieras i termer av kylflänstemperatur eller höljestemperatur TC THS när den tillåts flöda genom enhetens maximala halvsinus vågströmmedelvärde.Vid denna tidpunkt har korsningstemperaturen nått sin högsta tillåtna temperatur Tjm.LMH Company Product Manual ger lämplig tillståndsström som motsvarar kylflänstemperaturen THS eller höljets temperatur TC-värden, användaren bör baseras på faktisk på-tillståndsström och termiska förhållanden för att välja lämplig modell av enheten.
3.Forward root mean square current IF (RMS) (likriktare) / On-state RMS Current IT (RMS) (tyristor): definieras i termer av kylflänstemperatur eller höljestemperatur TC THS när den tillåts strömma genom enhetens maximala effektivt strömvärde.Under användning ska användaren se till att RMS-strömmen som flyter genom enhetens höljetemperatur under alla förhållanden inte överstiger motsvarande rotmedelvärde för strömmen.
4. Överspänningsström IFSM (likriktare), ITSM (SCR)
Representerar arbete under exceptionella omständigheter, enheten kan motstå momentana maximala överbelastningsströmvärden.10ms halvsinusvåg med en topp som LMH ges i produktens manuella inkopplingsströmvärde är den maximalt tillåtna korsningstemperaturen för enheten är under 80 % VRRM tillämpad under testvärdena.Under livslängden av enheten kan motstå startströmmen begränsas av antalet användare som används bör försöka undvika överbelastning.
5.Icke-repetitiva topp off-state spänning VDSM / Non repetitive peak omvänd spänning VRSM: hänvisar tyristor eller likriktardiod är blockerande tillstånd kan motstå den maximala breakover spänning, vanligtvis med en enda puls testning för att förhindra skador på enheten.Användare i testning eller applikation, ska vara förbjuden att använda spänningen på enheten, för att undvika skador på enheten.
6.Repetitiv peak off-state voltage VDRM / Repetitive peak reverse voltage VRRM: betyder att enheten är i blockerande tillstånd, off-state och reverse kan motstå den maximala repetitiva toppspänningen.Generellt upprepar enheten inte spänningsmärket 90 % (icke-repetitiva högspänningsenheter tar mindre markerade 100V).Användare som används ska se till att i vilket fall som helst inte tillåta enheten att motstå den faktiska spänningen som överstiger dess off-state och repetitiva topp omvänd spänning.
7.Repetitiv topp från tillstånd (läckage) ström IDRM / Repetitiv topp omvänd (läckage) ström IRRM
Tyristor i blockerande tillstånd, för att motstå upprepade toppspänningar i off-state VDRM och VRRM Repetitiva topp backspänning, framåt- och bakåtflödet genom komponentens toppdrainström.Denna parameter gör att enheten kan arbeta under den maximala uppmätta korsningstemperaturen Tjm.
8.Toppspänning VTM (SCR) / Peak forward voltage VFM (likriktare)
Refererar till enheten med en förutbestämd framåtriktad toppström IFM (likriktare) eller toppströmtillståndet ITM (SCR) är toppspänningen, även känd som toppspänningsfallet.Den här parametern återspeglar direkt egenskaperna hos enhetens på-tillståndsförluster, vilket påverkar enhetens på-tillstånds märkkapacitet.
Enhet med olika strömvärden under på-tillståndet (framåt) toppspänningen kan approximeras med en tröskelspänning och lutningsmotstånd, sa:
VTM = VTO + rT * ITM VFM = VFO + rF * IFM
Kör österrikiskt företag i produktmanualen för varje modell anges i enhetens maximala på-tillstånd (framåt) toppspänning och tröskelspänningen och lutningsmotståndet, användaren behöver, kan du tillhandahålla enhetens tröskelspänning och lutningen för det uppmätta motståndet värde.
9. Kretskommuterad avstängningstid tq (SCR)
Under angivna förhållanden sjunker tyristorns framströms huvudström över noll, från nollgenomgång för att kunna motstå den tunga elementspänningen, appliceras istället för att vrida minimitidsintervallet.Tyristorns avstängningstidsvärde bestäms för testförhållandena, Kör österrikiskt företag tillverkade snabba, högfrekventa tyristorenheter erbjuder en avstängningstid för varje uppmätt värde, är inte särskilt beskrivet, motsvarande förhållanden är som följer:
ITM-tillståndets toppström är lika med enhetens ITAV;
På-läge strömminskningshastighet di / dt = -20A/μs;
Högre spänningsökningshastighet dv / dt = 30A/μs;
Omvänd spänning VR = 50V;
Kopplingstemperatur Tj = 125 °C.
Om du behöver ett specifikt applikationsvillkor i off-time testvärden kan du begära det till oss.
10. Kritisk ökningstakt för på-tillståndsström di / dt (SCR)
Avser tyristorn från blockerande tillstånd till påslaget, tyristorn kan motstå den maximala ökningshastigheten för på-tillståndsström.Enheten kan motstå på-tillstånd ström Kritisk hastighet av stiga di / dt gate trigger tillstånd av en stor påverkan, så vi rekommenderar starkt att användare använder applikationsutlösaren, triggerpulsströmamplituden: IG ≥ 10IGT;pulsstigtid: tr ≤ 1μs.
10. Kritisk ökningshastighet för off-state spänning dv / dt
Under specificerade förhållanden, kommer inte att orsaka att tyristorn från från-till-till-tillstånd omvandlar den maximalt tillåtna framåtspänningsökningshastigheten.Kör österrikiska företagets produktmanual ger den minsta av alla sorter tyristor dv / dt värde, när användaren dv / dt har speciella krav, kan göras vid beställning.
11.Gate trigger spänning VGT / Gate trigger ström IGT
Under specificerade förhållanden, för att göra tyristorn avstängd med den erforderliga minsta grindspänningen och grindströmmen.Thyristor öppnade under öppettider, öppningsförlust och annan dynamisk prestanda genom att applicera i sin gate trigger signalstyrka på en stor effekt.Om i tillämpningen av en mer kritisk IGT för att utlösa tyristor, kommer tyristor inte låta få en bra öppningsegenskaper, i vissa fall till och med orsaka för tidigt fel eller skada på enheten.Därför rekommenderas att användaren ansökan använder ett starkt triggerläge, triggerpulsströmamplituden: IG ≥ 10IGT;pulsstigtid: tr ≤ 1μs.För att säkerställa tillförlitlig drift av enheten måste IG vara mycket större än IGT.
12.Crusts motstånd Rjc
Avser enheten under specificerade förhållanden, enheten flyter från korsningen till fallets temperaturökning genererad per watt.Skorpens motstånd återspeglar enhetens värmekapacitet, denna parameter har en direkt inverkan på enhetens nominella prestanda.Kör österrikisk företags produktmanual för plattsidig kylanordning visar det termiska motståndet i stationärt tillstånd för halvledareffektmodulerna, ger den enkelsidiga kylningen det termiska motståndet.Användare bör notera att den platta delen av skorpans termiska effekter direkt påverkas av installationsförhållandena, endast enligt manualen för den rekommenderade monteringskraftsinstallationen för att säkerställa enhetens termiska motstånd för att uppfylla kraven skorpor.