De normativa referenserna som tillämpades av Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co vid tillverkningen av svetsdioder var följande:
1. GB/T 4023—1997 Diskreta enheter av halvledarenheter och integrerade kretsar Del 2: Likriktardioder
2. GB/T 4937—1995 Mekaniska och klimatiska testmetoder för halvledarenheter
3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices – Modelleringsmetod
4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Packaging
5. JB/T 7624—1994 Likriktardiodtestmetod
Modell Och Storlek
1. Modellnamn: Modellen av svetsdioden hänvisar till bestämmelserna i JB/T 2423-1999, och innebörden av varje del av modellen visas i figur 1 nedan:
2. Grafiska symboler och terminal (under)identifikation
Grafiska symboler och terminalidentifiering visas i figur 2, pilen pekar på katodterminalen.
3. Form och monteringsmått
Formen på den svetsade dioden är konvex och skivtyp, och formen med storlek bör uppfylla kraven i figur 3 och tabell 1.
| Artikel | Mått (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Katodfläns (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Katod och anod Mesa(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Max diameter på keramisk ring (D2max) | 55,5 | 71,5 | 90 |
| Total tjocklek (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Monteringslägeshål | Hålets diameter：φ3,5±0,2mm，Hålets djup: 1,5±0,3mm | ||
Betyg och egenskaper
1. Parameternivå
Serien av omvänd repetitiv toppspänning (VRRM) är som specificeras i Tabell 2
Tabell 2 Spänningsnivå
| VRRM(V) | 200 | 400 |
| Nivå | 02 | 04 |
2. Gränsvärden
Gränsvärden ska överensstämma med tabell 3 och gälla för hela drifttemperaturområdet.
Tabell 3 Gränsvärde
| Gränsvärde | Symbol | Enhet | Värde | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Höljes temperatur | Tcase | ℃ | -40–85 | |||
| Ekvivalent korsningstemperatur (max) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Förvaringstemperatur | Tstg | ℃ | -40–170 | |||
| Upprepad topp backspänning (max) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Omvänd icke-repetitiv toppspänning (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Framåtmedelström (max) | IF (AV) | A | 7100 | 12 000 | 16 000 | 18 000 |
| Framåt (icke-repetitiv) överspänningsström (max) | IFSM | A | 55 000 | 85 000 | 120 000 | 135 000 |
| I²t (max) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72 000 | 91 000 |
| Monteringskraft | F | kN | 22–24 | 30–35 | 45–50 | 52–57 |
3. Karakteristiska värden
Tabell 4 Max karakteristiska värden
| Karaktär och skick | Symbol | Enhet | Värde | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Framåt toppspänningIFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1,06 | 1,05 |
| Omvänd repetitiv toppströmTj=25℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Termiskt motstånd Junction-to-case | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Obs: för speciella krav, kontakta | ||||||
Desvetsdiodproducerad av Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor används i stor utsträckning i motståndssvetsare, medel- och högfrekventa svetsmaskiner upp till 2000Hz eller högre.Med en ultralåg framåtspänning, ultralågt termiskt motstånd, toppmodern tillverkningsteknik, utmärkt substitutionsförmåga och stabil prestanda för globala användare, är svetsdioden från Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor en av Kinas mest pålitliga enheter halvledarprodukter.
Posttid: 2023-jun-14